IRFH5210TRPBF

1. कम चालन घाटा
2. राम्रो थर्मल अपव्यय सक्षम गर्दछ
3. बढेको विश्वसनीयता
4. बढेको पावर घनत्व
5. बहु-विक्रेता अनुकूलता
6. सजिलो निर्माण
7. वातावरण मैत्री
8. बढेको विश्वसनीयता

निर्माता भाग नम्बर: IRFH9310TRPBF
निर्माता / ब्रान्ड इन्टरनेशनल रेक्टिफायर (इन्फिनोन टेक्नोलोजी)
विवरणको भाग:MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
लीड फ्री स्थिति / RoHS स्थिति: लीड फ्री / RoHS अनुरूप
स्टक अवस्था: नयाँ मूल, 12000 pcs स्टक उपलब्ध।
बाट जहाज: हङकङ
ढुवानी तरीका: DHL/Fedex/TNT/UPS
उत्पादन विशेषता विशेषता मान विशेषता चयन गर्नुहोस्
भाग नम्बर IRFH9310TRPBF
निर्माता / ब्रान्ड अन्तर्राष्ट्रिय रेक्टिफायर (इन्फिनोन टेक्नोलोजीहरू)
स्टक मात्रा 12000 pcs स्टक
वर्ग अलग सेमीकन्डक्टर उत्पादनहरू > ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल
विवरण MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
लीड फ्री स्थिति / RoHS स्थिति: लीड फ्री / RoHS अनुरूप
चौडाइ - भित्र -55°C ~ 150°C (TJ)
भोल्टेज/वर्तमान - आउटपुट 1 PQFN (5x6)
सहिष्णुता 5250pF @ 15V
टेल प्रकार P- च्यानल
चरण कोण MOSFET (धातु अक्साइड)
तापमान इन्फिनोन टेक्नोलोजीहरू संकुचित गर्नुहोस्
SFP/XFP प्रकार ±20V
रिमोट क्षमता HEXFET®
पिच - केबल सतह माउन्ट
अन्य नामहरू लीड फ्री / RoHS अनुरूप
अन्य नाम १
ओसिलेटर प्रकार 8-PowerVDFN
DAC को 30V को संख्या
न्यूनतम तरल विशिष्ट गुरुत्वाकर्षण -
मिलन अभिमुखीकरण 4.6 mOhm @ 21A, 10V
निर्माता भाग नम्बर IRFH9310TRPBFDKR-ND
लम्बाइ - ब्यारेल Digi-Reel®
बत्तीको रङ 4.5V, 10V
उच्च साइड भोल्टेज - अधिकतम (बुटस्ट्र्याप) 21A (Ta), 40A (Tc)
प्रकार्य 58nC @ 4.5V
कोइल पावर सक्रिय
च्यानल क्यापेसिटन्स (CS(अफ), CD(अफ)) 3.1W (Ta)
कार्ड रिडर प्रकार 2.4V @ 100µA
सुविधाहरू र लाभहरू
सुविधाहरू परिणाम परिणामहरू
कम RDSon (≤ 4.6mΩ) तल्लो प्रवाह हानि
उद्योग-मानक PQFN प्याकेज बहु-विक्रेता अनुकूलता
RoHS अनुरूप कुनै सीसा, कुनै ब्रोमाइड र कुनै हलोजन वातावरण मैत्री छैन
परिणाम मा
नोट
फारम मात्रा
IRFH9310TRPBF PQFN 5mm x 6mm टेप र रील 4000
अर्डर योग्य भाग नम्बर प्याकेज प्रकार मानक प्याक
VDS -30 V
RDS(चालू) अधिकतम
(@VGS = 10V) 4.6 mΩ
Qg (सामान्य) 110 nC
RG (विशिष्ट) 2.8 Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 ए
निरपेक्ष अधिकतम मूल्याङ्कन
प्यारामिटर एकाइहरू
VDS ड्रेन-टू-स्रोत भोल्टेज
VGS गेट-टू-स्रोत भोल्टेज
ID @ TA = 25°C निरन्तर नाली वर्तमान, VGS @ -10V
ID @ TA = 70°C निरन्तर नाली वर्तमान, VGS @ -10V
ID @ TC = 25°C निरन्तर ड्रेन वर्तमान, VGS @ -10V (सिलिकन लिमिटेड)
ID @ TC = 70°C निरन्तर ड्रेन वर्तमान, VGS @ -10V (सिलिकन लिमिटेड)
ID @ TC = 25°C निरन्तर ड्रेन वर्तमान, VGS @ -10V (प्याकेज सीमित)
IDM पल्स्ड ड्रेन वर्तमान
PD @TA = 25°C पावर डिसिपेशन
PD @ TA = 70°C पावर डिसिपेशन
रैखिक डेरिटिंग कारक W/°C
TJ अपरेटिङ जंक्शन र
TSTG भण्डारण तापमान दायरा
दोहोरिने मूल्याङ्कन;पल्स चौडाइ अधिकतम द्वारा सीमित।जंक्शन तापमान।
सुरु गर्दै TJ = 25°C, L = 1.1mH, RG = 50Ω, IAS = -17A।
पल्स चौडाइ ≤ 400µs;शुल्क चक्र ≤ 2%।
1 इन्च स्क्वायर तामा बोर्ड मा माउन्ट गर्दा।
Rθ लगभग 90°C को TJ मा मापन गरिन्छ।
डिजाइन सहायताको लागि मात्र, उत्पादन परीक्षणको अधीनमा छैन।